IBM und Georgia Tech brechen den Silizium-Geschwindigkeitsrekord mit
500 GigaHertz
Stuttgart (ots) - +++ Gefrorene Chips arbeiten mit 500 Milliarden
Taktzyklen pro Sekunde am Rande des absoluten Temperaturnullpunkts
+++
Armonk, NY, USA und Atlanta, GA, USA, 20. Juni 2006 -- IBM und das
Georgia Institute of Technology haben heute angekündigt, daß ihre
Forscher den ersten Silizium-basierten Chip vorgeführt haben, der in
der Lage war, bei Frequenzen überhalb von 500 GigaHertz (GHz), das
entspricht 500 Milliarden Taktzyklen pro Sekunde, zu arbeiten. Dabei
wurde der Chip tiefgefroren auf 4,5 Kelvin (circa Minus 268,5 Grad
Celsius), eine Temperatur nahe dem absoluten Temperaturnullpunkt.
Solche extrem kalten Temperaturen herrschen in der Natur nur im
Weltraum, können aber auf der Erde künstlich erzeugt werden.
Im Vergleich sind die erreichten 500 Gigahertz Taktrate mehr als
250 mal schneller als die bei Chips heutiger Mobiltelefone, die
typischerweise mit etwa 2 GHz operieren. Computersimulationen deuten
darauf hin, daß Silizium-Germaniun (SiGe)-Technologie bei der
Verwendung in Chips einmal vielleicht sogar noch höhere
Taktfrequenzen erlauben könnte (bis zu 1000 GHz, also einem
TeraHertz), möglicherweise sogar bei Raumtemperatur.
Die Chips, die in diesem Forschungsprojekt eingesetzt werden,
stammen von der Prototypen-SiGe-Technologie vierter Generation, und
werden von IBM auf 200-Millimeter-Wafern gefertigt. Bei
Raumtemperatur laufen diese derzeit mit circa 350 GHz Taktung.
"Diese bahnbrechende gemeinsame Forschung von Georgia Tech und IBM
definiert die Leistungsgrenze von Silizium-basierten Halbleitern
neu", sagt Bernie Meyerson, Vice President und Chief Technologist der
IBM Systems and Technology Group.
Ultra-Hochfrequenz-Silizium-Germanium-Schaltkreise haben
potentielle Anwendungsbereiche in kommerziellen
Kommunikationssystemen, Sicherheitselektronik, Weltraumforschung und
in der Sensortechnik, künftig möglicherweise auch im
Elektronik-Massenmarkt.
Originaltext: IBM Deutschland
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